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簡要描述:日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造的熱電偶日本Nikkato(日淘工程)是工業(yè)加熱設(shè)備和高溫材料領(lǐng)域的出這些是半導(dǎo)體制造中使用的各種熱電偶。可以設(shè)計各種形狀和尖峰形狀的熱電偶,還提供各種石英保護(hù)管、氧化鋁保護(hù)管、陶瓷涂層線材、線徑等。名廠商,其熱電偶產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造、陶瓷燒結(jié)、冶金等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造的熱電偶 產(chǎn)品特點如下:
日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造的熱電偶 日本Nikkato(日淘工程)是工業(yè)加熱設(shè)備和高溫材料領(lǐng)域的出這些是半導(dǎo)體制造中使用的各種熱電偶。
可以設(shè)計各種形狀和尖峰形狀的熱電偶,還提供各種石英保護(hù)管、氧化鋁保護(hù)管、陶瓷涂層線材、線徑等。名廠商,其熱電偶產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造、陶瓷燒結(jié)、冶金等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
熱電偶類型
Nikkato的熱電偶主要分為以下幾類,符合國際標(biāo)準(zhǔn)(IEC):
1.K型熱電偶(鎳鉻-鎳硅)
溫度范圍:-200°C ~ +1300°C
特點:性價比高,抗氧化性強(qiáng),適用于半導(dǎo)體設(shè)備的低溫至中高溫段(如CVD、擴(kuò)散爐)。
半導(dǎo)體應(yīng)用:晶圓熱處理、管式爐溫度監(jiān)控。
2.R/S型熱電偶(鉑銠-鉑)
溫度范圍:0°C ~ 1600°C(R型)、0°C ~ 1700°C(S型)
特點:高精度、穩(wěn)定性好,但成本高,適用于超高溫環(huán)境。
半導(dǎo)體應(yīng)用:單晶硅生長爐(CZ法)、外延沉積反應(yīng)器。
3.B型熱電偶(鉑銠30-鉑銠6)
溫度范圍:+600°C ~ +1800°C
特點:耐高溫性能好,抗污染能力強(qiáng),適合長期高溫操作。
半導(dǎo)體應(yīng)用:高溫氧化爐、退火工藝。
4.C型熱電偶(鎢錸5%-鎢錸26%)
溫度范圍:0°C ~ 2300°C(惰性/還原氣氛)
特點:超高溫測量,但易氧化,需保護(hù)套管。
半導(dǎo)體應(yīng)用:MOCVD反應(yīng)器、碳化硅(SiC)晶體生長。
Nikkato熱電偶的特殊設(shè)計
1.保護(hù)套管材質(zhì)
氧化鋁(Al?O?):耐高溫至1800°C,適用于氧化性氣氛。
莫來石(Mullite):抗熱震性好,用于快速升降溫工藝。
碳化硅(SiC):導(dǎo)熱性優(yōu)異,適合半導(dǎo)體高溫工藝。
2.結(jié)構(gòu)形式
裸絲型:響應(yīng)快,用于高精度控溫(如快速退火)。
鎧裝型:金屬護(hù)套(如Inconel),抗機(jī)械沖擊,適合嚴(yán)苛環(huán)境。
陶瓷封裝型:絕緣性好,防止電信號干擾(如PECVD設(shè)備)。
半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵應(yīng)用
3.晶圓加工
擴(kuò)散爐:K型或R型熱電偶監(jiān)控?fù)诫s工藝溫度(800°C~1200°C)。
蝕刻設(shè)備:鎧裝K型熱電偶耐腐蝕氣體(如Cl?、CF?)。
4.薄膜沉積
CVD/PVD:B型或C型熱電偶確保反應(yīng)室高溫均勻性。
ALD:高精度K型熱電偶控制低溫沉積(200°C~400°C)。
5.封裝與測試
回流焊:短時高溫測量(S型熱電偶)。
優(yōu)勢總結(jié)
Nikkato熱電偶以高可靠性、長壽命和定制化服務(wù)(如特殊長度/接頭設(shè)計)著稱,適合半導(dǎo)體行業(yè)對工藝穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。
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